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中森（深圳）半导体有限公司
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询价产品信息
TPS2H160-Q1 系列是一款集成 160mΩ N 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) 功率场效应晶体管 (FET) 的双通道智能高侧开关，配备全方位保护功能。
该器件具有丰富的诊断功能和高精度电流感测 功能 ，可对负载进行智能控制。
该器件可从外部调节电流限值以限制浪涌或过载电流，从而提升整个系统的可靠性。
TPS2H160-Q1 系列是一款集成 160mΩ N 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) 功率场效应晶体管 (FET) 的双通道智能高侧开关，配备全方位保护功能。
该器件具有丰富的诊断功能和高精度电流感测 功能 ，可对负载进行智能控制。
该器件具有丰富的诊断功能和高精度电流感测 功能 ，可对负载进行智能控制。
该器件可从外部调节电流限值以限制浪涌或过载电流，从而提升整个系统的可靠性。
TPS2H160-Q1 系列是一款集成 160mΩ N 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) 功率场效应晶体管 (FET) 的双通道智能高侧开关，配备全方位保护功能。
该器件具有丰富的诊断功能和高精度电流感测 功能 ，可对负载进行智能控制。
该器件可从外部调节电流限值以限制浪涌或过载电流，从而提升整个系统的可靠性。
符合汽车类应用 要求
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
• 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 的环境工作温度范围
• 器件 HBM ESD 分类等级 H2
• 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
• 提供功能安全
• 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
• 具有丰富诊断功能的双通道 160mΩ 智能高侧开关
• 版本 A：开漏状态输出
• 版本 B：电流感应模拟输出
• 宽工作电压范围：3.4V 至 40V
• 超低待机电流： 25mA 负载下为 ±17%
• 可使用外部电阻调节电流限值，> 500mA 的负载条件下为 ±15%
• 保护：
• 通过（内部或外部）电流限制实现接地短路保护
• 具有锁闭选项的热关断以及热调节
• 感性负载负电压钳位，已优化转换率
• 失地保护和失电保护
• 诊断：
• 过流和接地短路检测
• 负载开路和电池短路检测
• 用于实现快速中断的全局故障
• 16 引脚耐热增强型 PWP 封装