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中森（深圳）半导体有限公司
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询价产品信息
类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P6
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
37.9A（Tc）
驱动电压（大 Rds On， Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
99 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
70 nC @ 10 V
Vgs
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
FET 功能
-
功率耗散
34W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
IPA60R099
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P6
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
37.9A（Tc）
驱动电压（大 Rds On， Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
99 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
70 nC @ 10 V
Vgs
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
FET 功能
-
功率耗散
34W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-FP
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
IPA60R099